硅靶濺射過程中，容易開裂。我公司在多次實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)上，提出了幾點(diǎn)改善措施：a、改善綁定模具，減少焊接過程中的氧化，嚴(yán)格控管焊接質(zhì)量；b、在磁通量大的地方改變分割方式，減少內(nèi)應(yīng)力的集中。
